| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Гусакова, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Мигас, Д. Б. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-11-27T07:43:53Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-12T11:42:41Z | - |
| dc.date.available | 2014-11-27T07:43:53Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-12T11:42:41Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Гусакова, Ю. В. Фундаментальные электронные свойства кремниевых наношнуров = Fundamental electronic properties of silicon nanowires / Ю. В. Гусакова, Д. Б. Мигас // Доклады БГУИР. – 2011. – № 1 (55). – С. 19–22. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1749 | - |
| dc.description.abstract | Проведено моделирование стабильности кремниевых шнуров с ориентацией <001> диаметром 0,82–1,818 нм. Установлено, что с увеличением диаметра шнура в этих пределах ширина запрещенной зоны уменьшается с 3,42 эВ до 2,27 эВ. Реконструкция поверхности наношнура (формирование димеров на поверхности) влияет на его электронные свойства – приводит к уменьшению ширины запрещенной зоны. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | кремниевые наношнуры | ru_RU |
| dc.subject | ширина запрещенной зоны | ru_RU |
| dc.subject | полуэмпирический метод Хартри-Фока | ru_RU |
| dc.title | Фундаментальные электронные свойства кремниевых наношнуров | ru_RU |
| dc.title.alternative | Fundamental electronic properties of silicon nanowires | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| local.description.annotation | Modeling of structural stability of silicon nanowires with the orientation <001> and diameter
0,82–1,818 nm has been carried out. It was obtained, that with increase of diameter of nanowire in the
specified range, band gap decreases from 3,42 eV to 2,27 eV. Surface reconstruction of nanowire
(dimmers on the surface) influence on its electronic properties – it leads to the decrease of band gap
width. | - |
| Appears in Collections: | №1 (55)
|
