| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Котов, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Токарев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-11-28T08:08:06Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-12T11:43:25Z | - |
| dc.date.available | 2014-11-28T08:08:06Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-12T11:43:25Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Котов, В. С. Обеспечение устойчивости к лавинному пробою мощных кремниевых МОП-транзисторов с канавочным затвором / В. С. Котов, В. В. Токарев, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. - 2011. - № 2 (56). - С. 22 - 27. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/1765 | - |
| dc.description.abstract | Проведены расчеты и экспериментально исследована возможность увеличения устойчивости к лавинному пробою мощных кремниевых металл/окисел/полупроводник (МОП) транзисторов с канавочным затвором за счет обеспечения более низкого пробивного напряжения охранного кольца по сравнению с пробивным напряжением ячейки и создания равномерного по площади кольца контакта к нему. Энергия лавинного пробоя в таких приборах
может быть увеличена на порядок. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | микроэлектроника | ru_RU |
| dc.subject | проектирование | ru_RU |
| dc.subject | технология | ru_RU |
| dc.subject | прибор | ru_RU |
| dc.subject | trench-mosfet | ru_RU |
| dc.subject | канавочный затвор | ru_RU |
| dc.subject | энергия лавинного пробоя | ru_RU |
| dc.title | Обеспечение устойчивости к лавинному пробою мощных кремниевых МОП-транзисторов с канавочным затвором | ru_RU |
| dc.title.alternative | Maintenance of stability to avalanche breakdown of power silicon trench-mosfet | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №2 (56)
|
