| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Дубин, В. М. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2014-12-08T13:33:07Z | - |
| dc.date.accessioned | 2017-07-12T11:47:23Z | - |
| dc.date.available | 2014-12-08T13:33:07Z | - |
| dc.date.available | 2017-07-12T11:47:23Z | - |
| dc.date.issued | 2011 | - |
| dc.identifier.citation | Дубин, В. М. Формирование наноразмерных медных межсоединений элементов интегральных микросхем = Fabrication of nanodimensional coper interconnects in integrated circuits / В. М. Дубин, В. Е. Борисенко // Доклады БГУИР. – 2011. – № 8 (62). – С. 34–38. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/2063 | - |
| dc.description.abstract | Электроосажденная медь заменила вакумно-осажденный алюминий для межсоединений элементов интегральных микросхем, изготавливаемых с пректными нормами 130 нм и менее. Это позволило уменьшить электрическое сопротивление и повысить токонесущую способность металлизации. Установлено, что заполнение канавок и отверстий в межслойном диэлектрике при создании медной металлизации с помощью электроосаждения меди лимитируется скоростью супер-заполнения наноструктур. Описаны закономерности процесса формирования и свойства электроосажденных медных межсоединений. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | микроэлектроника | ru_RU |
| dc.subject | нанотехнология | ru_RU |
| dc.subject | медные межсоединения | ru_RU |
| dc.subject | СБИС | ru_RU |
| dc.title | Формирование наноразмерных медных межсоединений элементов интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Fabrication of nanodimensional coper interconnects in integrated circuits | ru_RU |
| dc.type | Article | ru_RU |
| Appears in Collections: | №8 (62)
|
