| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Рощин, Л. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренко, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-09-05T12:45:23Z | - |
| dc.date.available | 2017-09-05T12:45:23Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Рощин, Л. Ю. Декорирование кремниевых структур методом химического осаждения меди на пористый кремний / Л. Ю. Рощин, А. В. Бондаренко // Доклады БГУИР. - 2017. - № 4 (106). - С. 37 - 42. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/25128 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты, отражающие основные аспекты экспериментальных
исследований по выявлению закономерностей формирования и изучению структурных и оптических
свойств наноструктурированных пленок меди, получаемых методом химического осаждения на
пористый кремний из растворов солей меди и фтористоводородной кислоты для их применения в
процессе декорирования поверхности кремниевых структур. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | мезопористый кремний | ru_RU |
| dc.subject | наноструктурированные пленки меди | ru_RU |
| dc.subject | химическое осаждение | ru_RU |
| dc.subject | porous silicon | ru_RU |
| dc.subject | nanostructured copper films | ru_RU |
| dc.subject | chemical deposition | ru_RU |
| dc.title | Декорирование кремниевых структур методом химического осаждения меди на пористый кремний | ru_RU |
| dc.title.alternative | Decoration of silicon structures by chemical deposition of nanostructured copper films on porous silicon | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of experimental study of formation regularities, structural and optical properties of
nanostructured copper films chemically deposited on porous silicon from solutions of copper sulfate and
hydrofluoric acid are presented. Application of the developed solution for the copper deposition on porous
silicon in the decoration process of silicon structures are demonstrated. | - |
| Appears in Collections: | №4 (106)
|
