Образование метастабильных атомарных структур при воздействии  сильных электрических полей на наноразмерные оксидные  диэлектрики и их электронные свойства: отчет о НИР (заключ.)

Данилюк, А. Л.; Подрябинкин, Д. А.; Борисенко, В. Е.; Мигас, Д. Б.; Стремоус, Д. В.

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Данилюк, А. Л.	-
dc.contributor.author	Подрябинкин, Д. А.	-
dc.contributor.author	Борисенко, В. Е.	-
dc.contributor.author	Мигас, Д. Б.	-
dc.contributor.author	Стремоус, Д. В.	-
dc.date.accessioned	2017-10-11T07:29:06Z	-
dc.date.available	2017-10-11T07:29:06Z	-
dc.date.issued	2017	-
dc.identifier.citation	Образование метастабильных атомарных структур при воздействии сильных электрических полей на наноразмерные оксидные диэлектрики и их электронные свойства: отчет о НИР (заключ.) / БГУИР; научный руководитель А. Л. Данилюк, отв. исполнитель Д. А. Подрябинкин. – Минск, 2017. - 63 с. - № ГР 20151036	ru_RU
dc.identifier.govdoc	№ ГР 20151036	-
dc.identifier.uri	https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26300	-
dc.description.abstract	Проведенное моделирование электронных свойств метастабильных атомарных структур, которые возникают в оксидных диэлектриках (на примере диоксида гафния), содержащих кислород и кислородные вакансии, при формовке в электрических полях, показало, что в зависимости от значений конфигурационных параметров ангармонический бистабильный потенциал ловушечных центров изменяет свою симметрию, а также глубину и ширину потенциальных ям.	ru_RU
dc.language.iso	ru	ru_RU
dc.publisher	БГУИР	ru_RU
dc.relation.ispartofseries	№ Ф15-028;	-
dc.subject	отчеты о НИР	ru_RU
dc.subject	резистивная память	ru_RU
dc.subject	пороговое напряжение	ru_RU
dc.title	Образование метастабильных атомарных структур при воздействии сильных электрических полей на наноразмерные оксидные диэлектрики и их электронные свойства: отчет о НИР (заключ.)	ru_RU
dc.type	Отчеты о НИР	ru_RU
Appears in Collections:	Отчеты о НИР 2017