| Поле DC | Значение | Язык |
|---|
| dc.contributor.author | Муравьев, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-10-13T10:58:35Z | - |
| dc.date.available | 2017-10-13T10:58:35Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Муравьев, В. В. Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2017. - № 6 (108). - С. 42-47. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26538 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты моделирования интенсивностей рассеивания электронов
в одиночном слое графена без подложки. Высокая подвижность носителей заряда, максимально
полученная среди всех известных материалов, делает графен перспективным материалом для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками. Установлено преобладание электрон-электронного рассеивания над другими видами рассеивания в области умеренных величин энергии поля в одиночном слое графена. Исследованные зависимости интенсивностей рассеивания носителей заряда позволят путем моделирования с использованием метода Монте Карло получить основные характеристики переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах, содержащих слои графена. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | графен | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковая структура | ru_RU |
| dc.subject | интенсивность рассеивания | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте Карло | ru_RU |
| dc.subject | graphene | ru_RU |
| dc.subject | semiconductor structure | ru_RU |
| dc.subject | scattering rates | ru_RU |
| dc.title | Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена | ru_RU |
| dc.title.alternative | Intensity determination of the scattering rates in the monolayer graphene | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of simulation of the electron scattering rates in a single graphene layer without substrate are presented. High mobility of charge carriers, maximally obtained among all known materials, makes graphene a promising material for the creation of new semiconductor devices with good output characteristics. Тhe prevalence of electron-electron scattering over other types of scattering in the region of moderate field energy in a single graphene layer is established. The investigated dependences of the rates of carrier scattering
will enable to obtain the main characteristics of charge carrier transfer in semiconductor structures containing
graphene layers by modeling using the Monte Carlo method. | - |
| Располагается в коллекциях: | №6 (108)
|
