Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26538
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМуравьев, В. В.-
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.-
dc.date.accessioned2017-10-13T10:58:35Z-
dc.date.available2017-10-13T10:58:35Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationМуравьев, В. В. Определение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена / В. В. Муравьев, В. Н. Мищенко // Доклады БГУИР. - 2017. - № 6 (108). - С. 42-47.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/26538-
dc.description.abstractПриведены результаты моделирования интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графена без подложки. Высокая подвижность носителей заряда, максимально полученная среди всех известных материалов, делает графен перспективным материалом для создания новых полупроводниковых приборов с хорошими выходными характеристиками. Установлено преобладание электрон-электронного рассеивания над другими видами рассеивания в области умеренных величин энергии поля в одиночном слое графена. Исследованные зависимости интенсивностей рассеивания носителей заряда позволят путем моделирования с использованием метода Монте Карло получить основные характеристики переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах, содержащих слои графена.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectграфенru_RU
dc.subjectполупроводниковая структураru_RU
dc.subjectинтенсивность рассеиванияru_RU
dc.subjectметод Монте Карлоru_RU
dc.subjectgrapheneru_RU
dc.subjectsemiconductor structureru_RU
dc.subjectscattering ratesru_RU
dc.titleОпределение интенсивностей рассеивания электронов в одиночном слое графенаru_RU
dc.title.alternativeIntensity determination of the scattering rates in the monolayer grapheneru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe results of simulation of the electron scattering rates in a single graphene layer without substrate are presented. High mobility of charge carriers, maximally obtained among all known materials, makes graphene a promising material for the creation of new semiconductor devices with good output characteristics. Тhe prevalence of electron-electron scattering over other types of scattering in the region of moderate field energy in a single graphene layer is established. The investigated dependences of the rates of carrier scattering will enable to obtain the main characteristics of charge carrier transfer in semiconductor structures containing graphene layers by modeling using the Monte Carlo method.-
Располагается в коллекциях:№6 (108)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Muravyev_Opredeleniye.PDF8.68 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.