| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Яцевич, Н. А. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.contributor.author | Ловшенко, И. Ю. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-10-23T08:22:24Z | - |
| dc.date.available | 2017-10-23T08:22:24Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Яцевич, Н. А. Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов / Н. А. Яцевич, В. Р. Стемпицкий, И. Ю. Ловшенко // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХV Белорусско-российской науч.-техн. конф. (Минск, 6 июня 2017 г.). – Минск : БГУИР, 2017. – С. 107 - 108. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27042 | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | интегральные микросхемы | ru_RU |
| dc.subject | температура | ru_RU |
| dc.subject | субмикронные МОП-транзисторы | ru_RU |
| dc.title | Моделирование влияния температуры, источника и интенсивности ионизирующего излучения на электрические характеристики субмикронных МОП-транзисторов | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2017
|
