| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Борисов, М. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-10-24T13:30:01Z | - |
| dc.date.available | 2017-10-24T13:30:01Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Борисов, М. А. Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках / М. А. Борисов // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХV Белорусско-российской науч.-техн. конф. (Минск, 6 июня 2017 г.). – Минск : БГУИР, 2017. – С. 80 - 81. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/27174 | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.subject | халькогенидные полупроводники | ru_RU |
| dc.subject | память | ru_RU |
| dc.title | Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2017
|
