| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Дик, С. К. | - |
| dc.contributor.author | Цырельчук, И. Н. | - |
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Шнейдеров, Е. Н. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-12-18T12:41:37Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-18T12:41:37Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Математическая модель деградации функционального параметра изделий электронной техники / С. К. Дик [и др.] // Проблемы взаимодействия излучения с веществом : материалы IV Республиканской научной конференции, посвященной 90-летию со дня рождения Б. В. Бокутя, Гомель, 9–11 ноября 2016 г. : в 2 ч. Ч. 2. – Гомель : ГГУ им. Ф. Скорины, 2016. – С. 228–233. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/28728 | - |
| dc.description.abstract | На примере биполярных и полевых транзисторов (как разновидности ИЭТ) нескольких типов показано, что математическая модель деградации функционального параметра в виде условной плотности его распределения для заданной наработки, получаемая на основе трёхпараметрического распределения Вейбулла-Гнеденко, является более эффективной. Она обеспечивает меньшие ошибки прогнозирования параметрической надёжности новых выборок транзисторов, нежели модель деградации, построенная с учётом гипотезы о нормальном законе распределения функционального параметра. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | Гомельский государственный университет им. Ф. Скорины | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | изделия электронной техники | ru_RU |
| dc.subject | функциональные параметры | ru_RU |
| dc.subject | математическая модель деградации | ru_RU |
| dc.subject | параметрическая надёжность | ru_RU |
| dc.title | Математическая модель деградации функционального параметра изделий электронной техники | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в изданиях Республики Беларусь
|
