| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Панфиленко, А. К. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
| dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Жигулин, Д. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T08:50:26Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T08:50:26Z | - |
| dc.date.issued | 2016 | - |
| dc.identifier.citation | Использование четырехзондового наноманипулятора для измерения вольтамперной характеристики биполярного N-P-N -транзистора / В. А. Пилипенко и др. // Современные информационные и электронные технологии: Международная научно-практическая конференция (Одесса, 23 — 27 мая 2016 г.). – Одесса: Политехпериодика. – С. 148 – 149. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/28812 | - |
| dc.description.abstract | В работе представлены результаты по получению вольтамперных характеристик (ВАХ) биполярного n-p-n- транзистора в составе микросхемы с субмикронными проектными нормами. Измерения проводились с использование растрового электронного микроскопа. Зонды устанавливались на вольфрамовые столбики. Для подготовки образца использовался метод прецизионной химико-механической подготовки. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | «Политехпериодика» | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | интегральная микросхема | ru_RU |
| dc.subject | биполярный транзистор | ru_RU |
| dc.subject | ВАХ | ru_RU |
| dc.subject | столбиковые контакты | ru_RU |
| dc.subject | нанозонды | ru_RU |
| dc.subject | химико-механическая полировка | ru_RU |
| dc.title | Использование четырехзондового наноманипулятора для измерения вольтамперной характеристики биполярного N-P-N -транзистора | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
