| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Ковалевский, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Строгова, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Комар, О. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-01-18T08:06:45Z | - |
| dc.date.available | 2018-01-18T08:06:45Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Ковалевский, А. А. Исследование влияния чистоты поверхности подложек на процесс образования и трансформацию нанокластеров кремний-германий = Investigation of the Influence of Cleanliness of the Substrate Surface on Formation and Transformation of the Silicon-Germanium Nanoclusters / А. А. Ковалевский, А. С. Строгова, О. М. Комар // Нано- и микросистемная техника. – 2017. – № 3. – С.149–158. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29369 | - |
| dc.description.abstract | Установлено, что степень совершенства поверхности следует рассматривать как существенную часть общей задачи приготовления чистой поверхности перед процессом формирования нанокластеров SiGe и подавления их трансформации от наноразмеров к микроразмерам. Показано, что для самоорганизации нанокластеров SiGe выгодно малое смещение поверхностных атомов сложных структур на чистой поверхности с образованием связей типа Ge-Ge или Si-Si. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | ООО "Издательство "Новые технологии" | ru_RU |
| dc.subject | публикации ученых | ru_RU |
| dc.subject | трансформация | ru_RU |
| dc.subject | нанокластеры | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | германий | ru_RU |
| dc.subject | оксиды | ru_RU |
| dc.subject | могогерман | ru_RU |
| dc.subject | моносилан | ru_RU |
| dc.subject | диспрозий | ru_RU |
| dc.subject | иттрий | ru_RU |
| dc.title | Исследование влияния чистоты поверхности подложек на процесс образования и трансформацию нанокластеров кремний-германий | ru_RU |
| dc.title.alternative | Investigation of the Influence of Cleanliness of the Substrate Surface on Formation and Transformation of the Silicon-Germanium Nanoclusters | - |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| dc.identifier.DOI | 10.17587/nmst.19.149-158 | - |
| local.description.annotation | It was established that the degree of perfection of a surface should be considered as an essential part of the general task of preparation of a clean surface before the process of formation of SiGe nanoclusters and suppression of their transformation from the nanoscale to the microscale. It was demonstrated that a small displacement of the surface atoms of the complex structures on a clean surface with formation of Ge-Ge or Si-Si bonds is beneficial for the self-organization of SiGe nanoclusters. | - |
| Appears in Collections: | Публикации в зарубежных изданиях
|
