| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Борисов, М. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-01-19T07:43:29Z | - |
| dc.date.available | 2018-01-19T07:43:29Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Борисов, М. А. Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 03 / М. А. Борисов ; науч. рук. Б. С. Колосницын. - Минск : БГУИР, 2017. - 5 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29407 | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | халькогенидные полупроводники | ru_RU |
| dc.subject | эффекты переключения | ru_RU |
| dc.title | Эффекты переключения и памяти в халькогенидных полупроводниках | ru_RU |
| dc.type | Автореферат | ru_RU |
| Appears in Collections: | 1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)
|
