| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Санковский, М. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-01-19T08:15:23Z | - |
| dc.date.available | 2018-01-19T08:15:23Z | - |
| dc.date.issued | 2017 | - |
| dc.identifier.citation | Санковский, М. В. Влияние импульсного излучения оптического диапазона на электрические характеристики МОП транзисторов в КНИ структурах : автореф. дисс. ... магистра технических наук : 1-41 80 03 / М. В. Санковский ; науч. рук. В. П. Бондаренко. - Минск : БГУИР, 2017. - 6 с. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/29414 | - |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | авторефераты диссертаций | ru_RU |
| dc.subject | импульсное излучение | ru_RU |
| dc.subject | оптический диапазон | ru_RU |
| dc.subject | МОП транзистор | ru_RU |
| dc.subject | КНИ структура | ru_RU |
| dc.title | Влияние импульсного излучения оптического диапазона на электрические характеристики МОП транзисторов в КНИ структурах | ru_RU |
| dc.type | Автореферат | ru_RU |
| Appears in Collections: | 1-41 80 03 Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)
|
