| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Баранов, И. Л. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-20T12:09:34Z | - |
| dc.date.available | 2018-03-20T12:09:34Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Баранов, И. Л. Технология конфиденциального производства безопасной элементной базы электронных систем / И. Л. Баранов // Технические средства защиты информации: Российско-Белорусская научно-техническая конференция (Минск-Нарочь, 19 – 23 мая 2003 г.). - Минск: БГУИР, 2003. - С. 45 - 46. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30587 | - |
| dc.description.abstract | дущие зарубежные электронные фирмы освоили серийное производство микропроцессоров и
схем памяти с 0,13 мкм топологическими нормами, некоторые приступили к опытному производству ИС с
0,09 мкм нормами. У нас в республике на НПО "Интеграл" освоена 0,8 мкм технология и только планируется переход на 0,5 мкм уровень. Ликвидация такого отставания требует колоссальных затрат. Так
современный завод-мегафаб на проектные нормы 0,13 мкм стоит 1,5–3,0 млрд. долларов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | материалы конференций | ru_RU |
| dc.title | Технология конфиденциального производства безопасной элементной базы электронных систем | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | ТСЗИ 2003
|
