Материалы и процессы формирования самосовмещённых плёночных структур изделий твёрдотельной электроники и микроэлектроники

Abstract

Систематизированы опубликованные результаты исследований автора в области материа- лов пленочных элементов твердотельных приборов и интегральных микросхем и техноло- гии их формирования с использованием принципа самосовмещения топологического ри- сунка. Рассмотрены физические основы создания самосовмещенных твердотельных струк- тур с заданными свойствами на основе силицидов и оксидов переходных металлов, таких, как Ta, Nb, Mo, Al, Ni, Co, Pt, Pd, сплавы W–Ti, Mo–Re и другие на пластинах монокристал- лического кремния в инертных и химически активных средах. Кратко описаны использо- ванные методики контроля основных свойств твердотельных структур и важнейшие зако- номерности их формирования, в том числе, установленные эффекты изменения основного диффундирующего компонента при высокотемпературном синтезе силицидов кобальта, восходящей диффузии при обработке структур ионными пучками высоких энергий, образо- вания "релаксационного слоя" вблизи границы раздела фаз. Приведены сведения об исполь- зовании предложенных материалов и разработанных процессов в изделиях твердотельной электроники и микроэлектроники.