Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБорисевич, В. М.-
dc.contributor.authorКовалевский, А. А.-
dc.contributor.authorНелаев, В. В.-
dc.contributor.authorМалышев, В. С.-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.date.accessioned2018-03-27T09:35:50Z-
dc.date.available2018-03-27T09:35:50Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citationИсследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесью / В. М. Борисевич и другие // Доклады БГУИР. - 2004. - № 3 (7). - С. 139 - 151.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30713-
dc.description.abstractПроведено экспериментальное исследование кинетики роста пленок поликристаллического кремния, легированных изовалентной примесью — германием. Установлены закономерности влияния основных технологических параметров процесса на скорость роста и удельное электрическое сопротивление пленок. Тонкие пленки поликристаллического кремния, легированные германием и выращенные при температуре 6200 С, при пониженном давлении обладают лучшими структурно-морфологическими свойствами по сравнению с нелегированными пленками. На основании экспериментальных результатов получена аппроксимационная зависимость скорости осаждения, удельного электрического сопротивления от условий разложения моногидридов и состава газовой смеси. Приведены результаты решения задачи оптимизации значимых параметров исследованного процесса.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectкинетикаru_RU
dc.subjectизовалентная примесьru_RU
dc.subjectскорость осажденияru_RU
dc.subjectудельное электрическое сопротивлениеru_RU
dc.subjectаппроксимацияru_RU
dc.subjectоптимизацияru_RU
dc.titleИсследование и оптимизация процесса осаждения пленок поликристаллического кремния, легированного германием как изовалентной примесьюru_RU
dc.title.alternativeInvestigation and optimization of the deposition process of polycrystalline silicon films doped by germanium as an isovalent impurityru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№3 (7)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Borisevich_Investigation.pdf781.61 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.