Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30728
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛазарук, С. К.-
dc.contributor.authorЛешок, А. А.-
dc.contributor.authorЖагиро, П. В.-
dc.contributor.authorБорисенко, В. Е.-
dc.date.accessioned2018-03-28T09:15:46Z-
dc.date.available2018-03-28T09:15:46Z-
dc.date.issued2004-
dc.identifier.citationСветоизлучающие диоды на основе пористого кремния = Porous silicon light emitting diodes / С. К. Лазарук [и др.] // Доклады БГУИР. – 2004. – № 3 (7). – С. 27–37.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30728-
dc.description.abstractПроанализировано развитие светоизлучающих диодов на основе наноструктурированного пористого кремния. Рассмотрены электрофизические свойства изучаемых светодиодов и физические явления, определяющие эти свойства. Обсуждены перспективы использования наноструктурированного пористого кремния в оптоэлектронных интегральных схемах.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectпористый кремнийru_RU
dc.subjectсветодиодru_RU
dc.subjectоптические межсоединенияru_RU
dc.titleСветоизлучающие диоды на основе пористого кремнияru_RU
dc.title.alternativePorous silicon light emitting diodesru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe development of nanostructured porous silicon light emitting diodes is analysed. Electrophysical properties of the investigating devices are considered. Prospects for nanostructured porous silicon applications in optoelectronic integrated circuits are discussed.-
Appears in Collections:№3 (7)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Lazarouk_Porous.pdf960.36 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.