| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Абрамов, И. И. | - |
| dc.contributor.author | Гончаренко, И. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-03-29T07:21:29Z | - |
| dc.date.available | 2018-03-29T07:21:29Z | - |
| dc.date.issued | 2004 | - |
| dc.identifier.citation | Абрамов, И. И. Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода / И. И. Абрамов, И. А. Гончаренко // Доклады БГУИР. - 2004. - № 4 (8). - С. 37 - 41. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30748 | - |
| dc.description.abstract | Описана модифицированная численная комбинированная модель резонансно-туннельного
диода (РТД), основанная на самосогласованном решении уравнений Шредингера и Пуассо-
на. Кроме эффектов самосогласованного поля, взаимодействия классических и квантовоме-
ханических областей РТД, она позволяет учитывать рассеяние на оптических фононах
в квантовой яме, а также наличие поверхностного заряда на границе раздела двух сред.
С использованием предложенной комбинированной модели проведено исследование влия-
ния параметров рассеяния и поверхностного заряда на вольт-амперные характеристики
(ВАХ) РТД. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | РТД | ru_RU |
| dc.subject | ВАХ | ru_RU |
| dc.subject | рассеяние на оптических фононах | ru_RU |
| dc.subject | поверхностный заряд | ru_RU |
| dc.title | Исследование влияния поверхностного заряда и параметров рассеяния на вольт-амперные характеристики резонансно-туннельного диода | ru_RU |
| dc.title.alternative | The influence of interface charge and scattering parameters on I-V characteristics of rеsonant tunneling diode | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №4 (8)
|
