Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30834
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКолешко, В. М.-
dc.contributor.authorСергейченко, А. В.-
dc.contributor.authorНелаев, В. В.-
dc.contributor.authorКрасиков, М. Г.-
dc.date.accessioned2018-04-03T12:16:16Z-
dc.date.available2018-04-03T12:16:16Z-
dc.date.issued2005-
dc.identifier.citationМоделирование формирования высоколегированных элементов микросенсора / В. М. Колешко и другие // Доклады БГУИР. - 2005. - № 1 (9). - С. 59 - 63.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30834-
dc.description.abstractРассмотрена конструкция термически изолированного мембранного микросенсора с теплорас- пределяющей областью. Проведено моделирование процесса диффузии из окисной пленки, полученной по золь-гель технологии, и получена зависимость распределения примеси в крем- ниевой подложке от концентрации бора в окисле и времени процесса диффузии. Выбраны оп- тимальные режимы создания теплораспределяющей области мембранного микросенсора с точки зрения минимизации градиента температуры.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectтехнологияru_RU
dc.subjectдиффузияru_RU
dc.subjectлегированиеru_RU
dc.subjectмебранный сенсорru_RU
dc.subjectтеплораспределяющая областьru_RU
dc.titleМоделирование формирования высоколегированных элементов микросенсораru_RU
dc.title.alternativeSimulation of the microsensor element technology with high concentrations of impuritiesru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№1 (9)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Koleshko_Simulation.pdf743.93 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.