| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Щерба, А. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-04T12:09:22Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-04T12:09:22Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Боровиков, С. М. Прогнозирование надежности полупроводниковых приборов методом имитационного моделирования / С. М. Боровиков, А. И. Щерба // Доклады БГУИР. - 2003. - № 2. - С. 113 - 117. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30852 | - |
| dc.description.abstract | Рассматривается метод прогнозирования параметрической надежности полупроводниковых
приборов. Метод основан на использовании реакции функциональных параметров приборов
на имитационное воздействие. Для биполярных транзисторов в качестве имитационного
фактора предлагается использовать ток коллектора. Приводится пример прогнозирования
работоспособности транзисторов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | прогнозирование | ru_RU |
| dc.subject | параметрическая надежность | ru_RU |
| dc.subject | имитационные воздействия | ru_RU |
| dc.title | Прогнозирование надежности полупроводниковых приборов методом имитационного моделирования | ru_RU |
| dc.title.alternative | Semiconductor device up state prediction with simulation effect technique | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The discussed technique is used to predict semiconductor device up state according to gradual
failure. The technique is based on taking into account the reaction of semiconductor device functional
parameters to simulation effect. Collector current is offered to be used as a simulation factor for bipolar transistors. There is an example of prediction transistor up state according to gradual failure. | - |
| Appears in Collections: | №2
|
