| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Турцевич, А. С. | - |
| dc.contributor.author | Ануфриев, Л. П. | - |
| dc.contributor.author | Наливайко, О. Ю. | - |
| dc.contributor.author | Лесникова, В. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-04T13:16:08Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-04T13:16:08Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами = Polycrystalline silicon films with hemispherical grains / А. С. Турцевич [и др.] // Доклады БГУИР. – 2005. – № 1 (9). – С. 87–92. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30862 | - |
| dc.description.abstract | Проведено исследование влияния условий получения пленок кремния на его структуру и морфологию. Установлено, что в узких диапазонах температуры осаждения и парциального давления моносилана наблюдается осаждение аморфно-кристаллических пленок с кристаллитами полусферической формы. Предложен механизм, объясняющий полученные результаты. Показано, что использование пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами
в качестве нижней обкладки конденсатора позволяет увеличить эффективную площадь конденсатора хранения ДОЗУ в 1,5–2,0 раза. Причем применение таких пленок возможно в стековых, этажерочных конденсаторах и конденсаторах в виде простой и сложной короны. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | интеллектуальные права | ru_RU |
| dc.subject | программное обеспечение | ru_RU |
| dc.subject | водяной знак | ru_RU |
| dc.title | Пленки поликристаллического кремния с полусферическими зернами | ru_RU |
| dc.title.alternative | Polycrystalline silicon films with hemispherical grains | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The effect of the conditions of polycrystalline silicon film deposition on the structural and morphological properties of polysilicon has been investigated. It was found that the deposition of the amorphous-crystalline silicon films with hemispherical crystallites is observed in the narrow range of the
deposition temperature and the partial silane pressure. The mechanism, explaining the obtained results
has been proposed. It has been shown that using the hemispherical grain (HSG) polysilicon films as a
lower capacitor electrode allow to increase the effective area of the DRAM storage capacitor electrode in
1.5÷2.0 times. The HSG polysilicon films can use in the simple stack or the multilayer fin capacitors and
also in capacitors like as the simple or multilayer crown. | - |
| Appears in Collections: | №1 (9)
|
