| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Алексеев, В. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Журавлев, В. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-04T13:57:15Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-04T13:57:15Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Алексеев, В. Ф. Тепловые модели отказов полупроводниковых структур при воздействии мощных электромагнитных импульсов = Thermal models of breakdowns in semiconductor structures under actions of high electromagnetic pulses / В. Ф. Алексеев, В. И. Журавлев // Доклады БГУИР. – 2005. – № 2 (10). – С. 65–72. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30867 | - |
| dc.description.abstract | Приведен анализ тепловых моделей, описывающих деградацию полупроводниковых структур (ПС) на воздействие мощных электромагнитных импульсов (МЭМИ). Показаны основные способы описания тепловой нестационарности в полупроводниковом кристалле при импульсном нагреве в зависимости от мощности и длительности импульса. Обсуждается необходимость учета температурной зависимости теплофизических свойств полупроводника при моделировании тепловых полей. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковая структура | ru_RU |
| dc.subject | тепловой пробой | ru_RU |
| dc.subject | тепловые модели | ru_RU |
| dc.subject | МЭМИ | ru_RU |
| dc.title | Тепловые модели отказов полупроводниковых структур при воздействии мощных электромагнитных импульсов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Thermal models of breakdowns in semiconductor structures under actions of high electromagnetic pulses | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The analysis of thermal models describing a degradation of semiconductor structures under
action of high electromagnetic pulses is carried out. The basic ways of thermal transient description in
semiconductor crystal at pulsing heating depending on pulse power and duration are shown. Necessity
to take into account of temperature dependence of thermophysical semiconductor properties at modeling of thermal fields is discussed. | - |
| Appears in Collections: | №2 (10)
|
