| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Иваненко, Л. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-06T08:26:18Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-06T08:26:18Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Иваненко, Л. И. Термоэлектрические свойства полупроводниковых силицидов = Thermoelectric properties of semiconducting silicides / Л. И. Иваненко // Доклады БГУИР. – 2005. – № 2 (10). – С. 90–101. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30880 | - |
| dc.description.abstract | Обсуждаются результаты последних исследований термоэлектрических свойств полупроводниковых силицидов рения, железа и рутения. Поликристаллические и эпитаксиальные силицидные пленки были получены методом магнетронного распыления и реактивным осаждением. Монокристаллы силицидов рения ReSi1,.75 и рутения Ru2Si3 выращивали методом зонной плавки с применением оптического нагрева; монокристаллы дисилицида железа β-FeSi2 были получены в процессе химических транспортных реакций. В качестве легирующих добавок использовали хром, кобальт, марганец, никель и алюминий. Температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента Зеебека (термоЭДС) и теплопроводности силицидов были измерены в интервале 4,2−1070 К. На основании полученных данных предложены рекомендации по практическому использованию полупроводниковых силицидов в термоэлектричестве. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | силициды | ru_RU |
| dc.subject | рений | ru_RU |
| dc.subject | железо | ru_RU |
| dc.subject | рутений | ru_RU |
| dc.subject | термоэлектрические свойства | ru_RU |
| dc.title | Термоэлектрические свойства полупроводниковых силицидов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Thermoelectric properties of semiconducting silicides | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The review summarizes recent results on transport properties of semiconducting silicides of
rhenium, iron and ruthenium. The experimental data both for thin films and single crystals are presented. Polycrystalline and epitaxial films were prepared by magnetron sputtering and by reactive
deposition epitaxy. The ReSi1.75 and Ru2Si3 single crystals were grown by the zone melting technique
with radiation heating; the β-FeSi2 single crystals were formed by chemical vapor transport. Cr, Co,
Mn, Ni, Al were added as dopants. Electrical resistivity, Seebeck coefficient (thermopower) and
thermal conductivity of the silicides were measured in the temperature range from 4.2 to 1070 K.
Prospects of practical applications of semiconducting silicides in thermoelectrics are discussed. | - |
| Appears in Collections: | №2 (10)
|
