| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Сокол, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Гомолко, П. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-09T12:59:53Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-09T12:59:53Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Сокол, В. А. Разработка технологии производства одноуровневой системы медных межсоединений многокристальных модулей на подслое тантала с химическим осаждением медных затравочных слоев = Development of MCM onelevel copper interconnections system on tantalum underlayer with electrolessly deposited copper seed layers / В. А. Сокол, П. В. Гомолко // Доклады БГУИР. – 2005. – № 2 (10). – С. 73–78. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30919 | - |
| dc.description.abstract | Предложен метод создания медных затравочных слоев на подслое тантала химическим осаждением. Разработан технологический процесс создания медных межсоединений для многокристальных модулей. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | медные межсоединения | ru_RU |
| dc.subject | химическое осаждение | ru_RU |
| dc.subject | затравочный слой | ru_RU |
| dc.title | Разработка технологии производства одноуровневой системы медных межсоединений многокристальных модулей на подслое тантала с химическим осаждением медных затравочных слоев | ru_RU |
| dc.title.alternative | Development of MCM onelevel copper interconnections system on tantalum underlayer with electrolessly deposited copper seed layers | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | A method of electrolessly deposited copper seed layers on tantalum development is proposed.
An original MCM copper interconnections development technological process was investigated. | - |
| Appears in Collections: | №2 (10)
|
