| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Бересневич, А. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-09T13:22:39Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-09T13:22:39Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Боровиков, С. М. Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов / С. М. Боровиков, А. И. Бересневич // Доклады БГУИР. - 2005. - № 3 (11). - С. 78 - 82. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30922 | - |
| dc.description.abstract | В данной работе с помощью экспериментальных исследований биполярных транзисторов
для функционального параметра (коэффициента усиления тока базы в схеме с общим эмит-
тером) установлено наличие линейной корреляции между изменениями, вызываемыми дей-
ствием температуры как имитационного фактора, и изменениями, обусловленными дли-
тельной наработкой транзисторов. Наличие тесной корреляции (модуль коэффициента кор-
реляции более 0,8) является доказательством возможности использования температуры в
качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупровод-
никовых приборов методом имитационных воздействий. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | постепенные отказы | ru_RU |
| dc.subject | имитационный фактор | ru_RU |
| dc.subject | статистическая аналогия | ru_RU |
| dc.subject | прогнозирование | ru_RU |
| dc.title | Использование температуры в качестве имитационного фактора при прогнозировании постепенных отказов полупроводниковых приборов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Using temperature as imitation factor in forecasting gradual failures of semiconductor devices | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №3 (11)
|
