| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Циркунова, Н. Г. | - |
| dc.contributor.author | Соловьев, Я. А. | - |
| dc.contributor.author | Сергеев, О. В. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-10T12:22:54Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-10T12:22:54Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Формирование острия кремниевых зондов для сканирующих зондовых микроскопов = Formation of silicon tips for scanning probe microscopes / Н. Г. Циркунова [и др.] // Доклады БГУИР. – 2005. – № 3 (11). – С. 59–64. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30939 | - |
| dc.description.abstract | Проведены исследования и разработана методика формирования кремниевых зондов с требуемой конфигурацией острия для сканирующих зондовых микроскопов. Зонды создавали на пластинах монокристаллического кремния с ориентацией (100) и (111). Установлено, что анизотропное селективное жидкостное травление (травитель для кремния с ориентацией (100) — 5% водный раствор КОН, для кремния с ориентацией (111) — раствор HF:HNO3:CH3COOH), как и плазмохимическое травление кремния в среде SF6, по отдельности не могут обеспечить формирование острия зондов с параметрами на уровне мировых аналогов. Только их комбинация в сочетании с использованием многослойной маски дает возможность получать зонды с заданными параметрами. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | зондовые датчики | ru_RU |
| dc.subject | технология изготовления зондов | ru_RU |
| dc.subject | СЗМ | ru_RU |
| dc.title | Формирование острия кремниевых зондов для сканирующих зондовых микроскопов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Formation of silicon tips for scanning probe microscopes | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Formation of silicon probes with sharp tips for scanning probe microscopes has been developed and studied. The probes were fabricated on (100) and (111) silicon wafers. It was found that the
anisotropic selective wet etching (the КОН water solution for (100) silicon and the
HF:HNO3:CH3COOH solution for (111) silicon) and plasma etching in SF6 separately did not allow
formation of sharp tip edges. Only combination of these two methods and the use of multilayer mask
provide necessary tip parameters. | - |
| Appears in Collections: | №3 (11)
|
