| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Грушевская, Г. В. | - |
| dc.contributor.author | Гурский, Л. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-11T07:28:06Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-11T07:28:06Z | - |
| dc.date.issued | 2005 | - |
| dc.identifier.citation | Грушевская, Г. В. Влияние наноструктурированности на диэлектрическую поляризацию кристаллов в сильных электромагнитных полях / Г. В. Грушевская, Л. И. Гурский // Доклады БГУИР. - 2005. - № 4 (12). - С. 11 - 18. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30953 | - |
| dc.description.abstract | Исходя из первых принципов, предложен метод расчета электрофизических свойств кристаллов в рамках квантовой теории возмущений с использованием температурных функций
Грина. Для описания наноструктурированных кристаллов развит метод вычисления диэлектрической поляризации кристаллов в сильных электромагнитных полях с учетом релятивистских поправок, описывающих магнитооптические эффекты. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | поляризация | ru_RU |
| dc.subject | кристалл | ru_RU |
| dc.subject | квантовая теория возмущений | ru_RU |
| dc.subject | рассеяние | ru_RU |
| dc.title | Влияние наноструктурированности на диэлектрическую поляризацию кристаллов в сильных электромагнитных полях | ru_RU |
| dc.title.alternative | Relativistic polarization in cell potential approximation and scattering of elecrons on nuclei in crystals | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №4 (12)
|
