| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Котов, Д. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-13T08:32:08Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-13T08:32:08Z | - |
| dc.date.issued | 2003 | - |
| dc.identifier.citation | Котов, Д. А. Исследование вольтамперных характеристик интегрированной ионно-плазменной системы / Д. А. Котов // Доклады БГУИР. - 2003. - № 3. - С. 78 - 82. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/30998 | - |
| dc.description.abstract | Интегрированная система ионно-ассистированного магнетронного распыления была разработана для расширения возможностей управления параметрами осаждаемых пленок.
Преимуществом предлагаемого способа нанесения является высокая скорость роста
покрытия с заданной структурой и соответственно физико-химическими свойствами.
Приведена схема устройства и результаты исследований вольтамперных характеристик
магнетронной распылительной системы в зависимости от давления в вакуумной камере.
Установлены особенности электромагнитной совместимости ионно-лучевой и
магнетронной распылительной систем. Выявлены возможности значительного снижения
пробойного потенциала магнетрона и генерации его разряда при пониженных рабочих
давлениях посредством стимуляции ионным пучком. Изучено влияние различных
конфигураций ионно-плазменного процесса на инициализацию и устойчивость
магнетронного разряда. Отмечены особенности компенсации положительного объемного
заряда ионного пучка. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | ионно-ассистированное осаждение | ru_RU |
| dc.subject | магнетронная распылительная система | ru_RU |
| dc.subject | источник ионов | ru_RU |
| dc.title | Исследование вольтамперных характеристик интегрированной ионно-плазменной системы | ru_RU |
| dc.title.alternative | Research the current-voltage characteristic of the ion-plasma system | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The integrated ion-assisted magnetron deposition system was developed to improve parameter
control capabilities for the thin films deposition. The advantage of the suggested deposition method is
a high growth rate of the film with the specified structure and accordingly physical and chemical properties. The diagram of the ion-plasma system is presented as well as the research data for current-
voltage characteristics of the magnetron sputtering system depending on the pressure in the vacuum
chamber. The electromagnetic compatibility features for the ion-beam and magnetron sputtering systems were established. The capabilities for considerable decreasing of the magnetron breakdown potential and generating a discharge under low pressure with the aid in its stimulating by an ion beam are
discovered. The influence of various configurations of the ion-plasma process on initialization and
stability of the magnetron discharge was studied. The compensation features of a positive ion-beam
space charge were emphasized. | - |
| Appears in Collections: | №3
|
