Особенности фазообразования в системе Cd-Ge-As

Abstract

Установлены особенности фазообразования в системе Cd–Ge–As при синтезе монокристал- лов CdGeAs2. Показано, что при нагревании и охлаждении системы Cd–Ge–As в интервале температур 30–750 οС кристаллизация CdGeAs2 происходит с образованием метастабильной Cd3As2 фазы и промежуточной GeAs фазы. Установлено, что введение соединения Cd3As2 в исходную шихту стабилизирует состав жидкой фазы на фронте кристаллизации CdGeAs2 и устраняет образование метастабильной фазы Cd3As2 при получении однофазного соедине- ния CdGeAs2.