| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Боровиков, С. М. | - |
| dc.contributor.author | Бересневич, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Шалак, А. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-19T08:35:30Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-19T08:35:30Z | - |
| dc.date.issued | 2006 | - |
| dc.identifier.citation | Боровиков, С. М. Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий = Authenticity of semiconductor devices’ functional parameters forecast by imitation effect method / С. М. Боровиков, А. И. Бересневич, А. В. Шалак // Доклады БГУИР. – 2006. – № 3 (15). – С. 12–17. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31055 | - |
| dc.description.abstract | Прогнозирование функциональных параметров полупроводниковых приборов методом
имитационных воздействий выполняется с использованием имитационной модели в виде
функции пересчета. Для приборов рассматриваемого вида эту функцию получают один раз
на этапе их предварительных исследований (по результатам обучающего эксперимента).
С ее помощью определяют уровень имитационного фактора, соответствующий заданной
будущей наработке. Решение о пригодности функции пересчета принимают по достоверности прогноза функциональных параметров. Предлагается оценивать достоверность по значению средней ошибки прогнозирования, используя изделия контрольной выборки. Разработан метод определения этой ошибки. Применение метода иллюстрируется примером. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | изделия электронной техники | ru_RU |
| dc.subject | полупроводниковые приборы | ru_RU |
| dc.subject | биполярные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | метод имитационных воздействий | ru_RU |
| dc.subject | прогнозирование функциональных параметров | ru_RU |
| dc.subject | ошибка прогнозирования | ru_RU |
| dc.title | Достоверность прогнозирования функциональных параметров полупроводниковых приборов методом имитационных воздействий | ru_RU |
| dc.title.alternative | Authenticity of semiconductor devices’ functional parameters forecast by imitation effect method | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The forecast of semiconductor devices' functional parameters by imitation effect is performed with the use of imitation model in the form of scaling function. This function is obtained at the stage of preliminary investigations of the articles (by the results of the teaching experiment) and is used for estimating the level of imitation factor corresponding to the specified future time to first failure. The decision on the fitness of scaling function is taken by the authenticity of functional parameters forecast. We suggest evaluating the authenticity by the value of the average forecast error using the articles of control selection. The method of determination of the error has been worked out. The application of the method is illustrated by an example. | - |
| Appears in Collections: | №3 (15)
|
