| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коршунов, Ф. П. | - |
| dc.contributor.author | Богатырев, Ю. В. | - |
| dc.contributor.author | Белоус, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Шведов, С. В. | - |
| dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
| dc.contributor.author | Кульгачев, В. И. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-20T09:30:07Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-20T09:30:07Z | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.citation | Влияние гамма-излучения на параметры различных транзисторных МОП-структур — элементов интегральных микросхем / Ф. П. Коршунов и др. // Доклады БГУИР. - 2007. - № 1 (17). - С. 67 - 72. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31111 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрено влияние гамма-излучения на параметры тестовых n-канальных транзисторных
МОП-структур — элементов логических комплементарных МОП интегральных микросхем,
а также МОП микросхем памяти — электрически стираемых программируемых постоянных
запоминающих устройств. Получены сходные экспериментальные результаты по
деградации параметров запоминающих элементов как при воздействии гамма-излучения,
так и при воздействии циклов перезаписи информации, что позволяет использовать данные
радиационных исследований запоминающих элементов для моделирования результатов их
испытаний на надежность. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | транзисторные МОП-структуры | ru_RU |
| dc.subject | элементы интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.subject | электрически стираемые программируемые постоянные запоминающие устройства | ru_RU |
| dc.subject | гамма- излучение | ru_RU |
| dc.title | Влияние гамма-излучения на параметры различных транзисторных МОП-структур — элементов интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Influence of gamma-radiation on parameters of various transistor MOS structures — elements of integrated microcircuits | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Influence of gamma-radiation on parameters of test n-channel transistor MOS structures
(elements of logic complementary МОS integrated microcircuits, and also MOS memory microcircuits
— Electrically Erasable Programmable Read Only Memory) is considered. Similar experimental
results on degradation of parameters of memory elements are received both at influence of gamma-
radiation, and at influence of cycles of rewriting of the information that allows to use the data of
radiation researches of memory elements for modeling results of their reliability tests. | - |
| Appears in Collections: | №1 (17)
|
