| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коробко, А. О. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-04-25T08:54:26Z | - |
| dc.date.available | 2018-04-25T08:54:26Z | - |
| dc.date.issued | 2007 | - |
| dc.identifier.citation | Коробко, А. О. Микроструктура соединений кремния с переходными металлами / А. О. Коробко // Доклады БГУИР. - 2007. - № 2 (18). - С. 69 - 74. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31189 | - |
| dc.description.abstract | Методами электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и резерфордовского обратного
рассеяния (РОР) исследована микроструктура твердотельных слоев "аморфный кремний —
атомы переходного металла — кристаллический кремний". Установлена кинетика
образования аморфной фазы, определена ее толщина и глубина залегания ионов атомов
переходного металла. Теоретически рассчитан порог аморфизации кремния и проведено его
сравнение с экспериментальными результатами. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | кремний | ru_RU |
| dc.subject | ионная имплантация | ru_RU |
| dc.subject | переходные металлы | ru_RU |
| dc.subject | ЭПР | ru_RU |
| dc.subject | РОР | ru_RU |
| dc.title | Микроструктура соединений кремния с переходными металлами | ru_RU |
| dc.title.alternative | Microstructure of silicon compounds with transition metals | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The microstructure of solid state layers "amorphous silicon—transition metal atoms—
crystalline silicon" have been investigated by means of electron paramagnetic resonance and
Rutherford backscattering spectroscopy. The kinetics of amorphous phase formation, the thickness of
amorphous layer and the depth profile of implanted transition metal atoms have been stated.
The amorphisation threshold has been calculated theoretically and compared to experimental results. | - |
| Appears in Collections: | №2 (18)
|
