Формирование столбиковых наноструктур при анодировании двухслойной системы Al/Nb

Abstract

В данной работе исследованы морфологические и структурные характеристики наноструктурированного АОН, полученного методом электрохимического оксидирования (анодирования) ниобия через норы АОА разного диаметра, описан механизм ионопереноса и рассчитаны числа переноса в процессе роста оксида при разных напряжениях анодирования. В качестве исходных образцов использовали кремниевые подложки диаметром 100 мм n-типа проводимости (4,5 Ом см) с кристаллографической ориентацией (100), на которые методом магнетронного распыления в вакууме были нанесены тонкопленочные системы Nb (снизу) - А1 (200 нм-1,5 мкм). Анодирование всех экспериментальных образцов проводили в потенциостатическом режиме при строго контролируемых температуре, концентрации электролита и напряжениях.