| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Коробко, А. О. | - |
| dc.contributor.author | Соловьёв, Я. А. | - |
| dc.contributor.author | Кайдов, О. Л. | - |
| dc.contributor.author | Глухманчук, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Достанко, А. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-05-28T12:11:34Z | - |
| dc.date.available | 2018-05-28T12:11:34Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.citation | Разработка технологических процессов создания солнечных элементов с контактами на основе силицида никеля / А. О. Коробко и др. // Доклады БГУИР. - 2009. - № 4 (42). - С. 61 - 64. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31671 | - |
| dc.description.abstract | Представлена разработанная технология создания тонкопленочных кремниевых солнечных
элементов с контактами на основе силицида никеля. Достоинства разработанного технологического процесса, обуславливающие перспективность его внедрения в промышленных
масштабах, заключаются в малых количествах использования дорогостоящего кремния по
сравнению с другими фотоэлектрическими материалами, в оптимизации технологического
процесса изготовления тонкопленочных кремниевых солнечных элементов и в использовании отработанных технологических методов и оборудования для получения функциональных контактных слоев в микроэлектронике. Достигнутая эффективность солнечных элементов на основе такой технологии составляет 8%, что соответствует мировым результатам для
тонкопленочных кремниевых солнечных элементов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | солнечные элементы | ru_RU |
| dc.subject | поликристаллический кремний | ru_RU |
| dc.subject | технологический процесс | ru_RU |
| dc.subject | силицид никеля | ru_RU |
| dc.title | Разработка технологических процессов создания солнечных элементов с контактами на основе силицида никеля | ru_RU |
| dc.title.alternative | The development of technological processes of the formation of solar cells with contacts based on nickel silicide | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The developed technology of formation of thin film silicon solar cells with contacts based on
nickel silicide is offered. The advantages of the developed technological process that prospectively
allow to introduce it in the industrial scale consist in the use of small quantities of expensive silicon in
comparison with other photovoltaic materials, in the optimization of technological process of production silicon solar cells and in the presence of well adjusted technological methods and equipment for
formation of functional contact layers in microelectronics. The obtained efficiency of solar cells based
on such technology is 8%, which correlates with the world’s results for production of thin film silicon
solar cells. | - |
| Appears in Collections: | №4 (42)
|
