| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Холостов, К. И. | - |
| dc.contributor.author | Филатова, О. С. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-06-04T09:38:01Z | - |
| dc.date.available | 2018-06-04T09:38:01Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Холостов, К. И. Исследование структуры мезопористого кремния = Investigation of structure of mesoporous silicon / К. И. Холостов, О. С. Филатова, В. П. Бондаренко // Доклады БГУИР. – 2008. – № 4 (34). – С. 72–76. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31760 | - |
| dc.description.abstract | Методом электрохимического анодирования сильнолегированных кремниевых подложек электронного типа проводимости в растворе фтористоводородной кислоты получены пленки мезопористого кремния. Методом сканирующей электронной микроскопии исследованы такие структурные параметры пористого материала, как средний диаметр пор, среднее расстояние между порами, концентрация пор на поверхности. Полученные данные можно использовать для построения компьютерной модели структуры мезопористого кремния для теоретической разработки процессов осаждения металлов, а также полупроводниковых соединений на поверхность пористого материала и вглубь каналов пор для формирования
различных сенсорных, оптических и оптоэлектронных приборов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | электрохимическое анодирование | ru_RU |
| dc.subject | пористый кремний | ru_RU |
| dc.subject | сканирующая электронная микроскопия | ru_RU |
| dc.title | Исследование структуры мезопористого кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Investigation of structure of mesoporous silicon | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Films of mesoporous material have been obtained by electrochemical anodization of silicon
substrates with n+
-type conductivity in HF solution. Regimes of its formation in dependence of anodization time and current density also have been experimentally studied. Such structure parameters of
porous material like average diameter of pores, average distance between pores, surface concentration
of pores with help of scanning electron microscopy has been presented. Obtained data can be useful
for computer modeling of metal deposition process or deposition of semiconductor compounds on the
surface of porous material and into the pore channels for making various sensors, optic and optoelectronic devices. | - |
| Appears in Collections: | №4 (34)
|
