Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШведов, С. В.-
dc.identifier.citationШведов, С. В. Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС / С. В. Шведов // Доклады БГУИР. - 2009. - № 7 (45). - С. 26 - 32.ru_RU
dc.description.abstractПриводятся результаты анализа особенностей применения известных методов повышения надежности радиационной стойкости больших интегральных микросхем (БИС) – системо- технических, схемотехнических, конструктивных и технологических. Эффективность применения схемотехнического метода показана на конкретных примерах логического КМОП-инвертора.ru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectнадежность БИСru_RU
dc.subjectрадиационная стойкостьru_RU
dc.subjectзащитный транзисторru_RU
dc.subjectлогические схемыru_RU
dc.titleСхемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИСru_RU
dc.title.alternativeCircuit engineering methods of enhancing CMOS LSIC radiation resistanceru_RU
local.description.annotationThe methods of LSIC radiation resistance enhancement are analyzed. There are investigated four groups of methods: circuit, circuit engineering, design and technological methods as well as their various combinations. Application of various methods of radiation resistance enhancement is shown on the examples of CMOS inverter.-
Appears in Collections:№7 (45)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shvedov_Circuit.PDF343.5 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.