Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШведов, С. В.-
dc.date.accessioned2018-06-04T12:40:07Z-
dc.date.available2018-06-04T12:40:07Z-
dc.date.issued2009-
dc.identifier.citationШведов, С. В. Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИС / С. В. Шведов // Доклады БГУИР. - 2009. - № 7 (45). - С. 26 - 32.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31769-
dc.description.abstractПриводятся результаты анализа особенностей применения известных методов повышения надежности радиационной стойкости больших интегральных микросхем (БИС) – системо- технических, схемотехнических, конструктивных и технологических. Эффективность применения схемотехнического метода показана на конкретных примерах логического КМОП-инвертора.The methods of LSIC radiation resistance enhancement are analyzed. There are investigated four groups of methods: circuit, circuit engineering, design and technological methods as well as their various combinations. Application of various methods of radiation resistance enhancement is shown on the examples of CMOS inverter.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectнадежность БИСru_RU
dc.subjectрадиационная стойкостьru_RU
dc.subjectКМОП-инверторru_RU
dc.subjectзащитный транзисторru_RU
dc.subjectлогические схемыru_RU
dc.titleСхемотехнические методы повышения радиационной стойкости КМОП БИСru_RU
dc.title.alternativeCircuit engineering methods of enhancing CMOS LSIC radiation resistanceru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:№7 (45)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shvedov_Circuit.PDF343.5 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.