| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Вечер, Д. В. | - |
| dc.contributor.author | Горушко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Понарядов, В. В. | - |
| dc.contributor.author | Сякерский, В. С. | - |
| dc.contributor.author | Петлицкая, Т. В. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-06-05T08:23:34Z | - |
| dc.date.available | 2018-06-05T08:23:34Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.citation | Влияние лазерного геттерирования на параметры биполярных интегральных микросхем / В. А. Пилипенко и др. // Доклады БГУИР. - 2009. - № 8 (46). - С. 63 - 67. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31774 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты влияния лазерного геттерирования на электрические параметры биполярных микросхем. Показано, что за счет уменьшения распространения линий скольжения, снижения плотности дислокаций в эпитаксиальной пленке и исключения возникновения проводящих шунтов в области активных и пассивных элементов, удается устранить деградацию электрических параметров интегральных микросхем, обеспечивая тем самым увеличение в два раза выход годных изделий. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | геттерирование | ru_RU |
| dc.subject | контроль | ru_RU |
| dc.subject | параметры | ru_RU |
| dc.subject | элементы | ru_RU |
| dc.title | Влияние лазерного геттерирования на параметры биполярных интегральных микросхем | ru_RU |
| dc.title.alternative | Influence of laser gettering on bipolar IC parameters | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of the laser gettering on the electric parameters of the Bipolar microcircuits are presented. It is shown, that due to reduction of the of the slide lines spread, lowering down density of dislocations in the epitaxial film and exclusion of emergence of the conductive bypasses in the area of the active and passive elements, it is attainable to eliminate degradation of the IC electric parameters, thus ensuring the good percentage two times higher. | - |
| Appears in Collections: | №8 (46)
|
