| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Клышко, А. А. | - |
| dc.contributor.author | Бондаренко, В. П. | - |
| dc.contributor.author | Балукани, М. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-06-05T08:34:24Z | - |
| dc.date.available | 2018-06-05T08:34:24Z | - |
| dc.date.issued | 2009 | - |
| dc.identifier.citation | Клышко, А. А. Пористый кремний как материал для управления адгезией металлических элементов к поверхности кремния / А. А. Клышко, В. П. Бондаренко, М. Балукани // Доклады БГУИР. - 2009. - № 8 (46). - С. 52 - 56. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31777 | - |
| dc.description.abstract | Представлены результаты исследования адгезии металлических проводников к поверхности
пористого кремния. Показано, что путем изменения пористости пористого кремния можно
управлять величиной адгезии проводников в широких пределах. Полученные результаты
легли в основу разработанной технологии создания новой контактной системы
для проведения электрических измерений параметров СБИС. Метод управления адгезией
пленок к кремниевым подложкам может также найти применение для формирования,
удержания и последующего отделения от подложки таких элементов МЭМС, как гибкие
проводники, металлические пленки, датчики и пр. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | пористый кремний | ru_RU |
| dc.subject | адгезия | ru_RU |
| dc.subject | МЭМС | ru_RU |
| dc.subject | зондовая контактная система | ru_RU |
| dc.title | Пористый кремний как материал для управления адгезией металлических элементов к поверхности кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Porous silicon as a media for control of metal elements adhesion to the surface of silicon | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The adhesion of metal wires to the surface of porous silicon has been investigated. The
adhesion is shown to be easily controllable over a wide range by varying the porosity of porous
silicon. These results made it possible to realize on practice the novel technology of the probe card
unit. The method can also be used for the formation and detachment from a substrate of the certain
MEMS elements such as flexible wires, metal films, sensors, etc. | - |
| Appears in Collections: | №8 (46)
|
