| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Сперанский, Д. С. | - |
| dc.contributor.author | Борздов, В. М. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-06-05T12:31:09Z | - |
| dc.date.available | 2018-06-05T12:31:09Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Сперанский, Д. С. Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования / Д. С. Сперанский, В. М. Борздов // Доклады БГУИР. - 2008. - № 4 (34). - С. 66 - 71. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/31786 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены некоторые аспекты разработки программного комплекса моделирования процессов переноса носителей заряда в интегральных полупроводниковых структурах методом
Монте-Карло. Основное внимание уделено построению эффективной объектной иерархии,
которая дает возможность повторного использования написанного ранее кода, а также минимизирует проблемы, возникающие при разработке программного комплекса несколькими
программистами. В качестве иллюстрации работоспособности описанного комплекса приведены результаты расчета вольт-амперной характеристики (ВАХ) интегрального
n-канального МОП-транзистора и проведено их сравнение с известными экспериментальными данными. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | метод Монте-Карло | ru_RU |
| dc.subject | объектно-ориентированное программирование | ru_RU |
| dc.subject | МОП-транзистор | ru_RU |
| dc.subject | ВАХ | ru_RU |
| dc.title | Моделирование полупроводниковых приборных структур методом Монте-Карло. Подход с использованием технологии объектно-ориентированного программирования | ru_RU |
| dc.title.alternative | The Monte Carlo semiconductor device structures simulation approach using the object-oriented programming technology | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №4 (34)
|
