DC Field | Value | Language |
dc.contributor.author | Жагиро, П. В. | - |
dc.contributor.author | Губаревич, А. А. | - |
dc.contributor.author | Кацуба, П. С. | - |
dc.contributor.author | Салимьянов, В. М. | - |
dc.contributor.author | Смирнов, А. Г. | - |
dc.date.accessioned | 2018-06-26T07:16:13Z | - |
dc.date.available | 2018-06-26T07:16:13Z | - |
dc.date.issued | 2008 | - |
dc.identifier.citation | Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии = Physical properties in light emitting diodes on nanostructured silicon / П. В. Жагиро [и др.] // Доклады БГУИР. – 2008. – № 5 (35). – С. 35–41. | ru_RU |
dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32196 | - |
dc.description.abstract | Рассмотрены основные проблемы экспериментального исследования физических процессов в светоизлучающих диодах на пористом кремнии. Проведен краткий анализ соответствующих физических процессов и методов их исследования. Предлагаемые экспериментальные и технологические решения направлены на улучшение воспроизводимости экспериментальных результатов, создание основы для построения адекватных теоретических моделей, а также на практическую реализацию кремниевых светодиодов с улучшенной эффективностью. | ru_RU |
dc.language.iso | ru | ru_RU |
dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
dc.subject | кремниевые светоизлучающие диоды | ru_RU |
dc.subject | электролюминесценция | ru_RU |
dc.subject | диод Шоттки | ru_RU |
dc.subject | наноструктурированный кремний | ru_RU |
dc.title | Физические процессы в светоизлучающих диодах на наноструктурированном кремнии | ru_RU |
dc.title.alternative | Physical properties in light emitting diodes on nanostructured silicon | ru_RU |
dc.type | Статья | ru_RU |
local.description.annotation | Here we address the basic problems of the experimental investigation o f porous silicon light emitting diodes (LEDs). Short analysis o f appropriate physical processes and methods o f investigation was
carried out. The introduced experimental and technological solutions pointed to enhancement of experimental results reproducibility, creation of basis for adequate theoretical models and design of silicon LED with improved efficiency. | - |
Appears in Collections: | №5 (35)
|