| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Жагиро, П. В. | - |
| dc.contributor.author | Высоцкий, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Кацуба, П. С. | - |
| dc.contributor.author | Сербун, П. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Смирнов, А. Г. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-06-26T07:20:49Z | - |
| dc.date.available | 2018-06-26T07:20:49Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Микродисплей светоизлучающего типа на основе наноструктурированного кремния / П. В. Жагиро // Доклады БГУИР. - 2008. - № 5 (35). - С. 50 - 56. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32197 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены основные проблемы и перспективы создания светоизлучающих пассивно
матричных микродисплеев на основе наноструктурированного кремния. В настоящее время
наболее перспективными представляются лавинные светоизлучающие структуры на основе
пористого кремния. Они характеризуются большим сроком службы (>10000 часов), непрерывным спектром, позволяющим выделить цвета RGB , невысоким рабочим напряжением
(менее 12 В) с крутой вольт-амперной характеристикой (ВАХ), малым временем отклика
(единицы не), высокой плотностью рабочего тока. В статье рассматриваются базовые принципы, технология и достижения в исследовании и разработке кремниевых светоизлучаю
щих диодов и микродисплеев с матрицей высокого разрешения. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | электролюминесценция | ru_RU |
| dc.subject | диод Шоттки | ru_RU |
| dc.subject | наноструктурированный кремний | ru_RU |
| dc.subject | микродисплей | ru_RU |
| dc.subject | пассивная матрица | ru_RU |
| dc.title | Микродисплей светоизлучающего типа на основе наноструктурированного кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Light emissive microdisplays based on nanostructured silicon | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| Appears in Collections: | №5 (35)
|
