| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Жагиро, П. В. | - |
| dc.contributor.author | Высоцкий, А. В. | - |
| dc.contributor.author | Кацуба, П. С. | - |
| dc.contributor.author | Сербун, П. Ф. | - |
| dc.contributor.author | Смирнов, А. Г. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-06-26T07:20:49Z | - |
| dc.date.available | 2018-06-26T07:20:49Z | - |
| dc.date.issued | 2008 | - |
| dc.identifier.citation | Микродисплей светоизлучающего типа на основе наноструктурированного кремния = Light emissive microdisplays based on nanostructured silicon / П. В. Жагиро [и др.] // Доклады БГУИР. – 2008. – № 5 (35). – С. 50–56. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32197 | - |
| dc.description.abstract | Рассмотрены основные проблемы и перспективы создания светоизлучающих пассивно матричных микродисплеев на основе наноструктурированного кремния. В настоящее время наиболее перспективными представляются лавинные светоизлучающие структуры на основе пористого кремния. Они характеризуются большим сроком службы (>10000 часов), непрерывным спектром, позволяющим выделить цвета RGB, невысоким рабочим напряжением (менее 12 В) с крутой вольт-амперной характеристикой (ВАХ), малым временем отклика (единицы не), высокой плотностью рабочего тока. В статье рассматриваются базовые принципы, технология и достижения в исследовании и разработке кремниевых светоизлучающих диодов и микродисплеев с матрицей высокого разрешения. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | электролюминесценция | ru_RU |
| dc.subject | диод Шоттки | ru_RU |
| dc.subject | наноструктурированный кремний | ru_RU |
| dc.subject | микродисплей | ru_RU |
| dc.subject | пассивная матрица | ru_RU |
| dc.title | Микродисплей светоизлучающего типа на основе наноструктурированного кремния | ru_RU |
| dc.title.alternative | Light emissive microdisplays based on nanostructured silicon | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | Standard silicon microelectronics technology is very attractive for use in microdisplays, because it is the shortest way to highest pixel densities and integration of matrix with column and row
drivers into a common chip. Use of nanostructured silicon light emitting diodes (SiLEDs) may completely solve the problem of low compatibility of display elements and silicon chip. At present time
the most suitable kinds of Si-LEDs are porous silicon avalanche LEDs. They have such advantages as
long operation lifetime (> 10000 hours), continuous spectrum, which allows to filter RGB colors, operation voltages less than 12 volts and extremely sharp VA-curve, fast response time (~ 1 ns), high
operation current densities. Rather low energy efficiency (<1%) is not so significant for NTE microdisplays. This paper considers the background, approaches and achievements in investigation of the
light emission mechanism, design of the silicon based LEDs and high resolution matrix displays. | - |
| Appears in Collections: | №5 (35)
|
