Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32340
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorВолчёк, В. С.-
dc.date.accessioned2018-07-06T11:45:58Z-
dc.date.available2018-07-06T11:45:58Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationВолчёк, В. С. Подвижность электронов в модуляционно-легированной структуре на основе нитрида галлия / В. С. Волчёк // Технические средства защиты информации : тезисы докладов ХVI Белорусско-российской научно – технической конференции, Минск, 5 июня 2018 г. – Минск: БГУИР, 2017. – С. 26.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32340-
dc.description.abstractПолевые транзисторы с модуляционно-легированной структурой (транзисторы с высокой подвижностью электронов, ТВПЭ) на основе нитрида галлия являются перспективными элементами сенсорных устройств, используемых в системах инженерно- технической защиты объектов. Высокочастотные полупроводниковые приборы требуют больших концентраций носителей заряда с максимально возможной подвижностью.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectматериалы конференцийru_RU
dc.subjectмодуляционно-легированная структураru_RU
dc.subjectподвижность электроновru_RU
dc.titleПодвижность электронов в модуляционно-легированной структуре на основе нитрида галлияru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
Appears in Collections:ТСЗИ 2018

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Volchek_Podvizhnost.pdf193.66 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.