| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Окоджи, Д. Э. | - |
| dc.contributor.author | Голосов, Д. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-07-13T08:10:13Z | - |
| dc.date.available | 2018-07-13T08:10:13Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Окоджи, Д. Э. Особенности нанесения тонких пленок сегнетоэлектриков при высокочастотном магнетроном распылении / Д. Э. Окоджи, Д. А. Голосов // Доклады БГУИР. - 2018. - № 4 (114). - С. 87 - 93. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32574 | - |
| dc.description.abstract | Получены профили распределения скорости нанесения при высокочастотном (ВЧ)
магнетронном распылении сегнетоэлектрических мишеней танталата стронция-висмута (SBT)
и ниобата-танталата стронция висмута (SBTN) в Ar/O2 смеси газов. Установлено, что при распылении
SBT и SBTN мишеней в центре зоны распыления скорость нанесения значительно превышает скорость
нанесения, характерную для распыления на постоянном токе, что является следствием генерации
в разрядной зоне магнетрона отрицательно заряженных ионов. Предложена модель расчета
распределения толщины наносимых пленок при ВЧ магнетронном распылении, которая учитывает поток
формирующихся отрицательно заряженных ионов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | высокочастное магнетронное распыление | ru_RU |
| dc.subject | сегнетоэлектрики | ru_RU |
| dc.subject | скорость нанесения | ru_RU |
| dc.subject | коэффициент распыления | ru_RU |
| dc.subject | high-frequency magnetron sputtering | ru_RU |
| dc.subject | ferroelectric | ru_RU |
| dc.subject | deposition rate | ru_RU |
| dc.subject | sputtering yield | ru_RU |
| dc.title | Особенности нанесения тонких пленок сегнетоэлектриков при высокочастотном магнетроном распылении | ru_RU |
| dc.title.alternative | Deposition features of ferroelectric thin films at high-frequency magnetron sputtering | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The distribution profiles of the deposition rate for high-frequency (HF) magnetron sputtering
of the ferroelectric targets of strontium-bismuth tantalate (SBT) and strontium-bismuth niobate-tantalate (SBTN)
in the Ar/O2 gas mixture were investigated. It was found that at sputtering SBT and SBTN targets the deposition
rate in the center of the sputtering zone is much higher than the deposition rate specific for DC sputtering, which
is a consequence of the generation of negative ions in the magnetron discharge region. A model for calculating
the distribution of the deposited films thickness at HF magnetron sputtering, which takes into account
the negative ions flow was proposed. | - |
| Appears in Collections: | №4 (114)
|
