| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Горушко, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-08-28T07:26:58Z | - |
| dc.date.available | 2018-08-28T07:26:58Z | - |
| dc.date.issued | 2018 | - |
| dc.identifier.citation | Солодуха, В. А. Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных полевых МОSFЕТ транзисторов / В. А. Солодуха, В. А. Пилипенко, В. А. Горушко // Доклады БГУИР. - 2018. - № 5 (115). - С. 99 - 103. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/32733 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты исследований влияния быстрой термической обработки
подзатворного диэлектрика на параметры мощных p- и n-канальных MOSFET транзисторов.
Установлено, что данная обработка позволяет за счет улучшения зарядовых и структурных свойств
диэлектрика уменьшить токи утечки затвора и повысить надежность приборов. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | быстрая термообработка | ru_RU |
| dc.subject | подзатворный диэлектрик | ru_RU |
| dc.subject | р- и n-канальные транзисторы | ru_RU |
| dc.subject | rapid thermal treatment | ru_RU |
| dc.subject | gate dielectric | ru_RU |
| dc.subject | р- and n-channel transistors | ru_RU |
| dc.title | Влияние быстрой термической обработки подзатворного диэлектрика на параметры мощных полевых МОSFЕТ транзисторов | ru_RU |
| dc.title.alternative | Influence of rapid thermal treatment of the gate dielectric on the parameters of power field МОSFЕТ transistors | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of investigations of influence of the rapid thermal threatment of the gate dielectric
on the parameters of the power p- and n-channel MOSFET transistors are listed. It was established,
that the given treatment makes it possible owing to enhancing the charge and structural properties of dielectric
to reduce the gate leakage currents and enhance reliability of devices. | - |
| Appears in Collections: | №5 (115)
|
