Формирование пленок CNх реактивным ионно-лучевым распылением

Abstract

Исследованы процессы формирования пленок нитрида углерода реактивным ионно-лучевым распылением мишени из графита в условиях наличия вторичного плазменного разряда между подложкой и мишенью. Плёнки формировались на подложках из кремния. Увеличение потенциала мишени приводит к торможению ионов первичного пучка, что снижает коэффициенты распыления и скорость нанесения. Установлено, что при напряжении на мишени более 15 В происходит снижение удельного объемного сопротивления и рост потерь пленок нитрида углерода, что может быть связано с воздействием заряженных частиц вторичного разряда на наносимое покрытие. Установлено, что применение вторичного плазменного разряда приводит к снижению пропускания и резкому уменьшению оптического поглощения в ультрафиолетовой и ближней видимой области спектра.