Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33047
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБожьев, И. В.-
dc.contributor.authorГорох, Г. Г.-
dc.contributor.authorЛозовенко, А. А.-
dc.contributor.authorНапольский, К. С.-
dc.contributor.authorОбухов, И. А.-
dc.contributor.authorПозняк, А. А.-
dc.contributor.authorСмирнова, Е. А.-
dc.date.accessioned2018-09-28T07:05:36Z-
dc.date.available2018-09-28T07:05:36Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationТехнология формирования нанопроводов антимонида индия в пористых матрицах анодного оксида алюминия / И. В. Божьев и др. // СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии: материалы 28-й Международной Крымской конференции. - Севастополь, 2018. - С. 996 - 1002.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33047-
dc.description.abstractПредставлены несколько способов формирования матриц нанопроводов из антимонида индия в порах анодного оксида алюминия на золотой подложке. Описаны преимущества и недостатки нанесения контактных групп для создания устройств, использующих коллективные эффекты в матрицах.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherСевастопольru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectантимонид индияru_RU
dc.subjectнанопроводru_RU
dc.subjectзолотая подложкаru_RU
dc.subjectконтактыru_RU
dc.subjectматрицыru_RU
dc.subjectтехнология осажденияru_RU
dc.subjectindium antimonideru_RU
dc.subjectnanowireru_RU
dc.subjectgold substrateru_RU
dc.subjectcontactsru_RU
dc.subjectmatrixru_RU
dc.subjectdeposition technologyru_RU
dc.titleТехнология формирования нанопроводов антимонида индия в пористых матрицах анодного оксида алюминияru_RU
dc.title.alternativeTechnology of formation of InSb nanowires in porous matrices of anodic aluminum oxideru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationSeveral methods for the formation of matrices of indium antimonide nanowires in the pores of anodic aluminum oxide on a gold substrate are presented. Advantages and disadvantages of applying contact groups for creating devices using collective effects in matrices are described.-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Bozhev_Technology.pdf1.59 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.