Skip navigation
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33195
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorКостров, А. И.-
dc.contributor.authorСтемпицкий, В. Р.-
dc.contributor.authorРодина, Т. Н.-
dc.contributor.authorДанилюк, А. Л.-
dc.contributor.authorБорисенко, В. Е.-
dc.date.accessioned2018-10-15T08:22:07Z-
dc.date.available2018-10-15T08:22:07Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationЭлектрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления / А. И. Костров и др. // Доклады БГУИР. - 2010. - № 2 (48). - С. 23 - 29.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33195-
dc.description.abstractРазработана электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления (МОЗУ — магниторезистивное оперативное запоминающее устройство) в интегральном исполнении на кремнии. Приведены электрические эквивалентные схемы и топологическое исполнение ячейки памяти на основе магнитных туннельных переходов (МТП), которые включают наноструктуры ферромагнетик/диэлектрик/полупроводник. Модель описана на языке Verilog-AMS для схемотехнического моделирования устройств спинтроники в системах автоматизированного проектирования интегральных микросхем и систем-на-кристалле. Приведены экспериментальные данные и результаты тестирования модели в системе сквозного проектирования Cadence Design System.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБГУИРru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectмагниторезистивная памятьru_RU
dc.subjectспинтроникаru_RU
dc.subjectмагнитный туннельный переходru_RU
dc.subjectэлектрическая модельru_RU
dc.subjectэквивалентная схемаru_RU
dc.subjectVerilog-AMSru_RU
dc.titleЭлектрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивленияru_RU
dc.title.alternativeThe electrical model of magnitoresistive memory cellru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe electrical model of magnetoresistive memory cell (MRAM — magnetoresistive random-access memory) on silicon technology has been developed. Electrical equivalent circuits and layout performance of the memory cell based on magnetic tunnel junctions (MTJ) which include the ferromagnetic/insulator/semiconductor nanostructures are presented. The model is realized with Verilog-AMS behavioral language for computer simulations of spintronic devices in computer-aided design systems of integrate circuits and systems-on-chips. Experimental data and testing results of the model in Cadence Design System are presented.-
Располагается в коллекциях:№2 (48)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Kostrov_The.PDF479.03 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики Google Scholar

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.