| Поле DC | Значение | Язык |
|---|
| dc.contributor.author | Костров, А. И. | - |
| dc.contributor.author | Стемпицкий, В. Р. | - |
| dc.contributor.author | Родина, Т. Н. | - |
| dc.contributor.author | Данилюк, А. Л. | - |
| dc.contributor.author | Борисенко, В. Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2018-10-15T08:22:07Z | - |
| dc.date.available | 2018-10-15T08:22:07Z | - |
| dc.date.issued | 2010 | - |
| dc.identifier.citation | Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления / А. И. Костров и др. // Доклады БГУИР. - 2010. - № 2 (48). - С. 23 - 29. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33195 | - |
| dc.description.abstract | Разработана электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления
(МОЗУ — магниторезистивное оперативное запоминающее устройство) в интегральном исполнении на кремнии. Приведены электрические эквивалентные схемы и топологическое исполнение
ячейки памяти на основе магнитных туннельных переходов (МТП), которые включают наноструктуры ферромагнетик/диэлектрик/полупроводник. Модель описана на языке Verilog-AMS для схемотехнического моделирования устройств спинтроники в системах автоматизированного проектирования интегральных микросхем и систем-на-кристалле. Приведены экспериментальные данные и результаты тестирования модели в системе сквозного проектирования Cadence Design System. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | магниторезистивная память | ru_RU |
| dc.subject | спинтроника | ru_RU |
| dc.subject | магнитный туннельный переход | ru_RU |
| dc.subject | электрическая модель | ru_RU |
| dc.subject | эквивалентная схема | ru_RU |
| dc.subject | Verilog-AMS | ru_RU |
| dc.title | Электрическая модель ячейки памяти на эффекте туннельного магнитосопротивления | ru_RU |
| dc.title.alternative | The electrical model of magnitoresistive memory cell | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The electrical model of magnetoresistive memory cell (MRAM — magnetoresistive random-access memory) on silicon technology has been developed. Electrical equivalent circuits and layout
performance of the memory cell based on magnetic tunnel junctions (MTJ) which include the ferromagnetic/insulator/semiconductor nanostructures are presented. The model is realized with Verilog-AMS behavioral language for computer simulations of spintronic devices in computer-aided design systems of integrate circuits and systems-on-chips. Experimental data and testing results of the
model in Cadence Design System are presented. | - |
| Располагается в коллекциях: | №2 (48)
|
