Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33763
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorШиманович, Д. Л.-
dc.contributor.authorЯковцева, В. А.-
dc.contributor.authorШиманович, А. Д.-
dc.contributor.authorБеспрозванный, Е. Д.-
dc.contributor.authorАлясова, Е. Е.-
dc.date.accessioned2018-12-06T13:58:37Z-
dc.date.available2018-12-06T13:58:37Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationТехнологические особенности сквозного двухстороннего анодирования при формировании алюмооксидных оснований для микрополосковых СВЧ-структур / Д. Л. Шиманович и другие // Новые материалы и перспективные технологии : сборник материалов Четвертого междисциплинарного научного форума с международным участием, Москва, 2018 г. : в 3-х т., секция 4 «Функциональные материалы» / Буки Веди. - Москва, 2018. – Т. 2. – С. 771 - 774.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/33763-
dc.description.abstractПредставлены результаты разработки технологических способов формирования оснований для структур СВЧ-диапазона в виде толстослойных (100 – 400 мкм) свободных пластин анодного оксида алюминия.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherБуки Ведиru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectанодированный алюминийru_RU
dc.subjectбиполярное анодированиеru_RU
dc.subjectanodized aluminumru_RU
dc.subjectbipolar anodizationru_RU
dc.titleТехнологические особенности сквозного двухстороннего анодирования при формировании алюмооксидных оснований для микрополосковых СВЧ-структурru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe results of the development of technological solutions for the structures of the microwave range in the form of thick-layer (100 - 400 microns) free plates of anodic aluminum oxide are presented.-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Shimanovich_Tekhnologicheskiye.PDF1.04 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.