Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item: https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34250
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorАлексеев, В. Ф.-
dc.contributor.authorПискун, Г. А.-
dc.contributor.authorЛисовский, А. А.-
dc.date.accessioned2019-01-21T08:20:24Z-
dc.date.available2019-01-21T08:20:24Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationАлексеев, В. Ф. Воздействие разрядов статического электричества на полупроводниковые структуры и интегральные схемы / В.Ф. Алексеев, Г.А. Пискун, А.А. Лисовский // Danish Scientific Journal. – 2018. – Vol.1, No 19. – Pp. 31–41.ru_RU
dc.identifier.urihttps://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34250-
dc.description.abstractРассмотрены особенности диагностических методов оценки устойчивости полупроводниковых структуру и интегральных схем к воздействию электростатических разрядов. Показано, что причиной возникновения отказов в интегральных схемах может служить достаточно большой спектр воздействующих дестабилизирующих факторов. Однако одним из самых разрушительных и опасных является электростатический разряд – импульсный перенос накопленного электростатического заряда между телами с разными электростатическими потенциалами. Выполнен анализ выявленных дефектов в микроконтроллерах, вызванных воздействием электростатических разрядов.ru_RU
dc.language.isoruru_RU
dc.publisherDenmarkru_RU
dc.subjectпубликации ученыхru_RU
dc.subjectинтегральная схемаru_RU
dc.subjectмикроконтроллерru_RU
dc.subjectполупроводниковая структураru_RU
dc.subjectэлектростатический разрядru_RU
dc.subjectэлектростатический зарядru_RU
dc.subjectintegrated circuitru_RU
dc.subjectmicrocontrollerru_RU
dc.subjectelectrostatic dischargeru_RU
dc.subjectelectrostatic chargeru_RU
dc.titleВоздействие разрядов статического электричества на полупроводниковые структуры и интегральные схемыru_RU
dc.title.alternativeImpact of discharges of static electricity on semiconductor structures and integral schemesru_RU
dc.typeСтатьяru_RU
local.description.annotationThe features of diagnostic methods for assessing the stability of the semiconductor structure and integrated circuits to the effects of electrostatic discharges are considered. It is shown that the reason for the occurrence of failures in integrated circuits can be a sufficiently large range of influencing destabilizing factors. However, one of the most destructive and dangerous is electrostatic discharge - a pulsed transfer of accumulated electrostatic charge between bodies with different electrostatic potentials. The analysis of detected defects in microcontrollers caused by exposure to electrostatic discharges has been performed.-
Appears in Collections:Публикации в зарубежных изданиях

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Alexseev_Impact.pdf911.34 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.