| DC Field | Value | Language |
|---|
| dc.contributor.author | Солодуха, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Пилипенко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Горушко, В. А. | - |
| dc.contributor.author | Филипеня, В. А. | - |
| dc.date.accessioned | 2019-02-05T09:27:12Z | - |
| dc.date.available | 2019-02-05T09:27:12Z | - |
| dc.date.issued | 2019 | - |
| dc.identifier.citation | Влияние режимов формирования силицида платины методом быстрой термообработки на параметры диодов Шоттки / В. А. Солодуха [и др.] // Доклады БГУИР. - 2019. - № 1 (119). - С. 62 - 67. | ru_RU |
| dc.identifier.uri | https://libeldoc.bsuir.by/handle/123456789/34383 | - |
| dc.description.abstract | Приведены результаты исследования влияния режимов формирования силицида платины
с применением быстрой термической обработки на электорофизические параметры диодов Шоттки.
Показано, что данная обработка, по сравнению с традиционной, позволяет за счет уменьшения
микрорельефа границы раздела PtSi–Si, а также получения в результате обработки менее дефектной
и равновесной структуры барьерного слоя повысить высоту барьера с 0,804 до 0,825 В, снизить ток
утечки с –4,42·10-6 до –2,85·10-6 А и в 1,25 раза повысить надежность диодов Шоттки при температуре
эксплуатации 125 °С. | ru_RU |
| dc.language.iso | ru | ru_RU |
| dc.publisher | БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | доклады БГУИР | ru_RU |
| dc.subject | диод Шоттки | ru_RU |
| dc.subject | быстрая термообработка | ru_RU |
| dc.subject | силицид платины | ru_RU |
| dc.subject | высота барьера | ru_RU |
| dc.subject | ток утечки | ru_RU |
| dc.subject | Schottky diode | ru_RU |
| dc.subject | quick heat treatment | ru_RU |
| dc.subject | platinum silicide | ru_RU |
| dc.subject | barrier height | ru_RU |
| dc.subject | leakage current | ru_RU |
| dc.title | Влияние режимов формирования силицида платины методом быстрой термообработки на параметры диодов Шоттки | ru_RU |
| dc.title.alternative | The impact of formation modes of platinum silicide by the quick heat treatment on Schottky diodes parameters | ru_RU |
| dc.type | Статья | ru_RU |
| local.description.annotation | The results of studying of the impact of formation modes of platinum silicide using qiuck heat
treatment on electrophysical parameters of Schottky diodes are presented. It is shown that this treatment,
as compared to the traditional one, allows at the cost of reducing of microrelief of boundary of PtSi–Si, and also
obtaining as a result of treatment a less defective and equilibrium structure of the barrier layer, to raise barrier
height from 0,804 to 0,825 V, to reduce leakage current from –4,42·10-6 to –2,85·10-6 A and in 1,25 times
and to raise the reliability of Schottky diodes at operating temperature 125 °C. | - |
| Appears in Collections: | №1 (119)
|
