Skip navigation
Please use this identifier to cite or link to this item:
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorСолодуха, В. А.-
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.-
dc.contributor.authorГорушко, В. А.-
dc.contributor.authorФилипеня, В. А.-
dc.identifier.citationВлияние режимов формирования силицида платины методом быстрой термообработки на параметры диодов Шоттки / В. А. Солодуха [и др.] // Доклады БГУИР. - 2019. - № 1 (119). - С. 62 - 67.ru_RU
dc.description.abstractПриведены результаты исследования влияния режимов формирования силицида платины с применением быстрой термической обработки на электорофизические параметры диодов Шоттки. Показано, что данная обработка, по сравнению с традиционной, позволяет за счет уменьшения микрорельефа границы раздела PtSi–Si, а также получения в результате обработки менее дефектной и равновесной структуры барьерного слоя повысить высоту барьера с 0,804 до 0,825 В, снизить ток утечки с –4,42·10-6 до –2,85·10-6 А и в 1,25 раза повысить надежность диодов Шоттки при температуре эксплуатации 125 °С.ru_RU
dc.subjectдоклады БГУИРru_RU
dc.subjectдиод Шотткиru_RU
dc.subjectбыстрая термообработкаru_RU
dc.subjectсилицид платиныru_RU
dc.subjectвысота барьераru_RU
dc.subjectток утечкиru_RU
dc.subjectSchottky dioderu_RU
dc.subjectquick heat treatmentru_RU
dc.subjectplatinum silicideru_RU
dc.subjectbarrier heightru_RU
dc.subjectleakage currentru_RU
dc.titleВлияние режимов формирования силицида платины методом быстрой термообработки на параметры диодов Шотткиru_RU
dc.title.alternativeThe impact of formation modes of platinum silicide by the quick heat treatment on Schottky diodes parametersru_RU
local.description.annotationThe results of studying of the impact of formation modes of platinum silicide using qiuck heat treatment on electrophysical parameters of Schottky diodes are presented. It is shown that this treatment, as compared to the traditional one, allows at the cost of reducing of microrelief of boundary of PtSi–Si, and also obtaining as a result of treatment a less defective and equilibrium structure of the barrier layer, to raise barrier height from 0,804 to 0,825 V, to reduce leakage current from –4,42·10-6 to –2,85·10-6 A and in 1,25 times and to raise the reliability of Schottky diodes at operating temperature 125 °C.-
Appears in Collections:№1 (119)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Solodukha_Vliyaniye.PDF1.98 MBAdobe PDFView/Open
Show simple item record Google Scholar

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.